藍(lán)寶石拋光液檢測(cè)適用于各種領(lǐng)域
   藍(lán)寶石拋光液檢測(cè)是一種分散穩(wěn)定性好的a相納米氧化鋁拋光液，是我公司將不同粒徑的納米氧化鋁拋光粉經(jīng)過(guò)特殊的分散工藝，分散成穩(wěn)定的懸浮液，方便直接使用于粉體拋光粉適用的各種領(lǐng)域。
   藍(lán)寶石拋光液檢測(cè)操作方便，在工作過(guò)程中可隨時(shí)抽查零件的加工效果，機(jī)器可配自動(dòng)出料裝置，可將拋磨塊與工件進(jìn)行分離，工件自動(dòng)排出。藍(lán)寶石拋光液晶粒尺寸微細(xì)、晶型完好；比重大，具有良好的分散性。 顆粒細(xì)小均勻無(wú)團(tuán)聚，適合于鏡面精拋光用途。
   化學(xué)機(jī)械拋光這兩個(gè)概念主要出現(xiàn)在半導(dǎo)體加工過(guò)程中，初的半導(dǎo)體基片（襯底片）拋光沿用機(jī)械拋光、例如氧化鎂、氧化鋯拋光等，但是得到的晶片表面損傷是及其嚴(yán)重的。直到60年代末，一種新的拋光技術(shù)— —化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)取代了舊的方法。CMP技術(shù)綜合了化學(xué)和機(jī)械拋光的優(yōu)勢(shì)：?jiǎn)渭兊幕瘜W(xué)拋光，拋光速率較快，表面光潔度高，損傷低，性好，但表面平整度和平行度差，拋光后表面一致性差；單純的機(jī)械拋光表 面一致性好，表面平整度高，但表面光潔度差，損傷層深?；瘜W(xué)機(jī)械拋光可以獲得較為的表面，又可以得到較高的拋光速率，得到的平整度比其他方法高兩個(gè)數(shù)量級(jí)，是目前能夠?qū)崿F(xiàn)全局平面化的有效方法。
   藍(lán)寶石拋光液檢測(cè)依據(jù)機(jī)械加工原理、半導(dǎo)體材料工程學(xué)、物力化學(xué)多相反應(yīng)多相催化理論、表面工程學(xué)、半導(dǎo)體化學(xué)基礎(chǔ)理論等，對(duì)硅單晶片化學(xué)機(jī)械拋光機(jī)理、動(dòng)力學(xué)控制過(guò)程和影響因素研究標(biāo)明，化學(xué)機(jī)械拋光是一個(gè)復(fù)雜的多相反應(yīng)，它存在著兩個(gè)動(dòng)力學(xué)過(guò)程：（1）拋光首先使吸附在拋光布上的拋光液中的氧化劑、催化劑等與襯底片表面的硅原子在表面進(jìn)行氧化還原的動(dòng)力學(xué)過(guò)程。這是化學(xué)反應(yīng)的主體。（2）拋光表面 反應(yīng)物脫離硅單晶表面，即解吸過(guò)程使未反應(yīng)的硅單晶重新裸露出來(lái)的動(dòng)力學(xué)過(guò)程。
   藍(lán)寶石拋光液檢測(cè)是控制拋光速率的另一個(gè)重要過(guò)程。硅片的化學(xué)機(jī)械拋光過(guò)程是以化學(xué)反應(yīng)為主的機(jī)械拋光過(guò)程，要獲得質(zhì)量好的拋光片，必須使藍(lán)寶石拋光液檢測(cè)拋光過(guò)程中的化學(xué)腐蝕作用與機(jī)械磨削作用達(dá)到一種平衡。如果化學(xué)腐蝕作用大于機(jī)械拋光作用，則拋光片表面產(chǎn)生腐蝕坑、桔皮狀波紋。如果機(jī)械磨削作用大于化學(xué)腐蝕作用，則表面產(chǎn)生高損傷層。